onsemiСША
DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток30 A
Прямое падение напряжения1.75 VМакс. · 30 A
ТипSchottkyFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 30 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Другое | |
| Base Product Number | FFSP3065 |
| Capacitance @ Vr, F | 1705pF @ 1V, 100kHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |