VBsemi(微碧半导体)Китай
FS30AS-2-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока40 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |