VBsemi(微碧半导体)Китай
FS3206-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока210 A
Сопротивление в открытом состоянии12 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 210A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |