VBsemi(微碧半导体)Китай
FS5AS-2-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока15 A
Сопротивление в открытом состоянии114 mΩМакс. · 10V
Пороговое напряжение3.5 VМакс. · 250uA
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V |