Поиск аналогов электронных компонентов
GP2010S

GP2010S

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

上海格瑞宝官方 Multi Channel MOSFET 参数目录产品

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

ESD (Yes/No)Yes
ID (A)10
ProcessTrench
RDS(mΩ)@VGS (4.5V Max)8
RDS(mΩ)@VGS (4.5V Typ)7.20
TypeDual-N
VDS (V)18
VGS(TH) (V)1
VGS (V)±10

Изображения

Документы