HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件在低电压环境下具备高效的开关特性与较低的导通损耗，适用于便携式电子设备、电池管理系统及低压直流负载开关等场景。其紧凑的封装设计有助于优化电路板布局，满足消费电子对空间与能效的严格要求，是低压电源控制电路中的关键组件。