HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为100V，导通电阻低至7.3毫欧，在栅源电压最高达20V的驱动条件下可实现高效开关操作。其低RDS(ON)有助于降低导通损耗，适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率调节功能。器件在高频工作状态下仍能保持良好的性能稳定性。