Поиск аналогов электронных компонентов
HUXN(慧芯)Китай

H182N4HT

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220

MOSFETs · 中低压MOSFETs

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Условия эксплуатации и корпус
封装TO-220
Другое
ConfigurationN
ID(A)182
RDS(on) Max @VGS=10V (mΩ)2.6
RDS(on) Typ @VGS=10V (mΩ)2.2
VDS(V)40
VGS(th) Typ(V)3.2

Документы