Поиск аналогов электронных компонентов
HIP6601BECB
IntersilСША

HIP6601BECB

Снят с производстваGate Drivers8-SOIC-EP

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Число драйверов2
Конфигурация нагрузкиHalf-bridge
Напряжение питания10.8 ~ 13.2 V
Питание
Channel TypeSynchronous
Current - Peak Output (Source, Sink)-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)15 V
Logic Voltage - VIL, VIH-
Voltage - Supply10.8V ~ 13.2V
Характеристики по постоянному и переменному току
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature0°C~125°C(TJ)
PackageTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package8-SOIC-EP
Другое
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Input TypeNon-Inverting
MfrIntersil
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Series-

Изображения

Документы