HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该静电和浪涌保护器件为双向类型，设计用于单线路上，具备23.1安培的IPP（峰值脉冲电流承受能力），以及16伏特的VRWM（工作抑制电压）。这些特性使其能够有效地吸收和消散瞬态高压事件，如静电放电（ESD）及其他电压突变对敏感电子设备的影响。适用于需要精密保护的应用场合，如家用电器中的接口保护及通信设备中的信号线防护，确保设备稳定运行。