Поиск аналогов электронных компонентов
VishayСША

Vishay IL205AT — оптопары в корпусе SOIC-8 с напряжением изоляции 4000 В RMS и напряжением пробоя коллектор-эмиттер 70 В, КТТ 40–80%.Проверено по даташиту

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Число каналов1
Напряжение изоляции4 kV
Тип выходаTransistor
Коэффициент передачи тока40 ~ 80 %

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 23
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
Количество каналов1
Напряжение изоляции4000 V RMS
Тип выходаPhototransistor
Коэффициент передачи тока (КТТ)40 to 80 % (at 10 mA)
КорпусSOIC-8
Рабочая температура-55 to +100 °C
RoHSRoHS COMPLIANT
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерMin 70 V (IC = 100 μA)
Прямое напряжениеTyp 1.3 V, Max 1.5 V (IF = 10 mA)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерMax 0.4 V (IC = 2 mA, IF = 10 mA)
Ток утечки коллектор-эмиттерTyp 5 nA, Max 50 nA (VCE = 10 V)
ЕмкостьTyp 13 pF (VR = 0 V)
Емкость вход-выходTyp 0.5 pF
Сопротивление вход-выходTyp 100 GΩ
Прямой непрерывный токMax 60 mA
Пиковое обратное напряжениеMax 6 V
Мощность рассеивания (Вход)Max 90 mW
Мощность рассеивания (Выход)Max 150 mW
Общая мощность рассеиванияMax 240 mW
Максимальный ток коллектора (DC)Max 50 mA
Максимальный ток коллектора (Импульс)Max 100 mA (t < 1 ms)
Температура хранения-55 to +150 °C
СертификацияUL, cUL, FIMKO
Все параметры (4)РазвернутьСвернуть
Питание
输出通道数1
隔离电压(Vrms)4kV
Условия эксплуатации и корпус
工作温度-55℃~+100℃
Другое
正向压降(Vf)1.3V

Распиновка и корпус

КорпусSOIC-8

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Анод
2Катод
3Нет соединения
4Нет соединения
5Эмиттер
6Коллектор
7База
8Нет соединения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.