Поиск аналогов электронных компонентов
IMB2AT110
Rohm SemiconductorЯпония

IMB2AT110

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition250MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Supplier Device PackageSMT6
Другое
Base Product NumberIMB2AT110
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Series-
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Изображения

Документы