Поиск аналогов электронных компонентов
IMD16AT108
Rohm SemiconductorЯпония

IMD16AT108

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)-
Current - Collector (Ic) (Max)100mA, 500mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition250MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseSC-74, SOT-457
Supplier Device PackageSMT6
Другое
Base Product NumberIMD16
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)22kOhms
Series-
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA

Изображения

Документы