Поиск аналогов электронных компонентов
IMD3AT108
Rohm SemiconductorЯпония

IMD3AT108

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition250MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseSC-74, SOT-457
Supplier Device PackageSMT6
Другое
Base Product NumberIMD3AT108
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
Series-
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Изображения

Документы