Infineon TechnologiesГермания
IMZA65R030M1H
Single FETs, MOSFETsВсе аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 4, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 53A |
| VDSS-最大漏源电压 | 650V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 5.7V |
| 功耗系数 | 0.76℃/W |
| 峰值电流 | 143A |
| 最大峰值电流 | 143A |
| 最大漏源电流Id | 53A |
| 漏源击穿电压Vdss | 650V |
| 门槛电压Vgs(th) | 5.7V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 42mΩ |
| 最大漏源导通阻抗Ron | 42mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | PGTO247 |
| 最大工作温度 | 175℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Другое | |
| Ciss-输入等效电容 | 1643pF |
| Pd-功率耗散 | 197W |
| Qg-栅极电荷 | 48nC |
| 引脚数量1 | 3 |
| 最大耗散功率Pd | 197W |
| 栅极电荷Qg | 48nC |
| 栅源耐压Vgs+ | 20V |
| 栅源耐压Vgs- | 2V |
| 输入电容Ciss | 1643pF |