Infineon TechnologiesГермания
IPB65R660CFDA
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleВсе аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока6 A
Сопротивление в открытом состоянии660 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V,3.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |