Infineon TechnologiesГермания
IPDQ65R080CFD7 is an industrialCoolMOS™ CFD7 N-channel power MOSFET, 650 V, 69 mOhm RDS(on), 36 A. Find documents, product parameters, and ordering information on the page.
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Пороговое напряжение4 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature range | -55 °C to 150 °C |
| Package | Q-DPAK |
| Другое | |
| ID (@25°C) max | 36 A |
| ID max | 36 A |
| IDpuls max | 107 A |
| Polarity | N |
| Ptot max | 223 W |
| QG | 50 nC |
| QG (typ @10V) | 50 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 80 mΩ |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) max | 80 mΩ |
| Special Features | Fast recovery diode |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) | 4 V |
| VGS(th) range | 3.5 V to 4.5 V |