Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Технические параметры этого компонента пока не указаны.

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.