Поиск аналогов электронных компонентов
Infineon TechnologiesГермания

IPWS65R022CFD7AXKSA1

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SinglePG-TO247-3-31

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока96 A
Сопротивление в открытом состоянии22 mΩМакс. · 58.2A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 2.91mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)446W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-40°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackagePG-TO247-3-31
Другое
Base Product NumberIPWS65R
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11659 pF @ 400 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 58.2A, 10V
SeriesCoolMOS™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 2.91mA

Документы