Infineon TechnologiesГермания
HIGH POWER_NEW
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока106 A
Сопротивление в открытом состоянии18 mΩМакс. · 58.2A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 2.91mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | IPZA65R |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11660 pF @ 400 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 58.2A, 10V |
| Series | CoolMOS™ CFD7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.91mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.