IRF540ZPBF

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220AB

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

Infineon IRF540ZPBF — это N-канальный силовой MOSFET HEXFET с напряжением пробоя 100В, непрерывным током стока 36А, корпусом TO-220AB, температурой эксплуатации от -55 до +175°C, с низким сопротивлением в открытом состоянии и безсвинцовым составом.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 19. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток100 VMin 100 V (VGS = 0V，ID = 250μA)

Постоянный ток стока36 ATC = 25°C，VGS = 10V，TC = 100°C，VGS = 10V

Сопротивление в открытом состоянии26.5 mΩМакс. · Max 26.5 mΩ (VGS = 10V，ID = 22A)

Пороговое напряжение4 VМакс. · Max 4.0 V (VDS = VGS，ID = 250μA)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 28

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Канал	N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток	Min 100 V (VGS = 0V, ID = 250μA)
Непрерывный ток стока	Max 36 A @ TC = 25°C, VGS = 10V; Max 25 A @ TC = 100°C, VGS = 10V
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии	Typ 21 mΩ, Max 26.5 mΩ (VGS = 10V, ID = 22A)
Пороговое напряжение затвора	Min 2.0 V, Max 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250μA)
Корпус	TO-220AB
Диапазон рабочих и температур хранения	-55 to +175 °C
Класс	Industrial
RoHS	Lead-Free
Импульсный ток стока	Max 140 A
Мощность рассеивания	Max 92 W @ TC = 25°C
Напряжение затвор-исток	Max ±20 V
Энергия одиночного импульса лавинного пробоя	Max 83 mJ (Thermally limited); Max 120 mJ (Tested)
Тепловое сопротивление переход-корпус	Max 1.64 °C/W
Тепловое сопротивление переход-среда	Max 62 °C/W
Прямая передаточная проводимость	Min 36 S (VDS = 25V, ID = 22A)
Ток утечки сток-исток	Max 20 μA (VDS = 100V, VGS = 0V); Max 250 μA (VDS = 100V, VGS = 0V, TJ = 125°C)
Прямой ток утечки затвор-исток	Max 200 nA (VGS = 20V)
Полный заряд затвора	Typ 42 nC, Max 63 nC (ID = 22A, VDS = 80V, VGS = 10V)
Время задержки включения	Typ 15 ns (VDD = 50V, ID = 22A, RG = 12Ω, VGS = 10V)
Время нарастания	Typ 51 ns (VDD = 50V, ID = 22A, RG = 12Ω, VGS = 10V)
Время задержки выключения	Typ 43 ns (VDD = 50V, ID = 22A, RG = 12Ω, VGS = 10V)
Время спада	Typ 39 ns (VDD = 50V, ID = 22A, RG = 12Ω, VGS = 10V)
Входная емкость	Typ 1770 pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
Выходная емкость	Typ 180 pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
Обратная емкость передачи	Typ 100 pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
Внутренняя индуктивность стока	Typ 4.5 nH
Внутренняя индуктивность истока	Typ 7.5 nH

Все параметры (21)РазвернутьСвернуть

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	92W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C~175°C(TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220AB
Другое
Base Product Number	IRF540
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1770 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26.5mOhm @ 22A, 10V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Документы

DatasheetDatasheet · 1.4 MB · 2026-11-12 DatasheetDatasheet · 1.3 MB · 2026-11-09 DatasheetDatasheet · 383.5 KB · 2026-09-21 OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21 OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.