VBsemi(微碧半导体)Китай
IRF640PBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока30 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 126W |