Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单体N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要高效能和高性能的应用场合。SOP8;N—Channel沟道,20V;20A;RDS(ON)=4.9mΩ@VGS=4.5V,VGS=16V;Vth=1~2.1V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии5.6 mΩМакс. · 2.5V
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
Другое
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@2.5V
数量1个N沟道

Документы