MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока19 A
Сопротивление в открытом состоянии200 mΩМакс. · 11A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2PAK) |
| Другое | |
| Base Product Number | IRF9540 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.