VBsemi(微碧半导体)Китай
IRFBC40APBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术，适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии780 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |