MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока2.5 A
Сопротивление в открытом состоянии100 mΩМакс. · 1.5A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Другое | |
| Base Product Number | IRLD024 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.