Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока75 A
Сопротивление в открытом состоянии3.3 mΩМакс. · 140A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5730 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 140A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |