Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока12 ~ 59 A
Сопротивление в открытом состоянии10.9 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение2.3 VМакс. · 28μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 60W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Другое | |
| Base Product Number | ISC0804N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 20A, 10V |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 28µA |