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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| VIOSM-浪涌电压 | 4KV |
| VIOTM-瞬态过电压 | 4.242KV |
| VISO-隔离电压 | 2500Vrms |
| 前向通道数 | 4ch |
| 双向通道数 | 0ch |
| 后向通道数 | 0ch |
| 最大供电电压 | 5V |
| 最小供电电压 | 3.3V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| TpHL传播延迟时间 | 42ns |
| TpLH传播延迟时间 | 35ns |
| 脉宽失真时间 | 2.5ns |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | SOIC |
| 最大工作温度 | 125℃ |
| 最小工作温度 | -40℃ |
| Другое | |
| ESD(CDM) | 1KV |
| ESD(HBM) | 4KV |
| Tf上升时间 | 2ns |
| Tr上升时间 | 2ns |
| 共模瞬态抗扰度 | 25kV/μs |
| 引脚数量1 | 16 |
| 最大数据速率 | 25Mbps |