HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、功率因数校正单元及直流-直流变换器等，能够提升系统整体能效并减少散热需求，是高性能电力电子设计中的关键元件。【联系：sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.36 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-220C-2L |
| Другое | |
| IF | 6A |
| VF | 1.36V |
| VR | 650V |
| 二极管配置 | 独立式 |