HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度和更快的开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换电路。典型应用场景包括高性能开关电源、光伏逆变系统及高压直流配电模块，适合对热管理和空间布局有严格要求的设计需求。【联系：sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.38 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-220C-2L |
| Другое | |
| IF | 10A |
| VF | 1.38V |
| VR | 650V |
| 二极管配置 | 独立式 |