IXYSСША
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1 kV
Постоянный ток стока22 A
Сопротивление в открытом состоянии390 mΩМакс. · 12A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 8mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Другое | |
| Base Product Number | IXFE24 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 12A, 10V |
| Series | HiPerFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |