Поиск аналогов электронных компонентов
IXFP7N60P3
IXYSСША

IXFP7N60P3

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220-3

MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока7 A
Сопротивление в открытом состоянии1.15 ΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение5 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)180W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberIXFP7N60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds705 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.15Ohm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar3™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Изображения

Документы