IXYSСША
MOSFET N-CH 800V 9A TO268
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии1.1 ΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение5 VМакс. · 2.5mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Box |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Другое | |
| Base Product Number | IXFT9N80 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 500mA, 10V |
| Series | HiPerFET™, Q Class |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |