IXYSСША
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 4. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока32 A
Сопротивление в открытом состоянии270 mΩМакс. · 16A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 8mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | IXFX32 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 16A, 10V |
| Series | HiPerFET™, Polar |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.