IXYS-RFСША
MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1 kV
Постоянный ток стока12 A
Сопротивление в открытом состоянии1.05 ΩМакс. · 6A
Пороговое напряжение5.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Power Dissipation (Max) | 940W |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 16-SMPD |
| Другое | |
| Base Product Number | IXRFSM12 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2875 pF @ 800 V |
| Mfr | IXYS-RF |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 15V |
| Series | SMPD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.