Поиск аналогов электронных компонентов
IXTH36P10
IXYSСША

IXTH36P10

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247

MOSFET P-CH 100V 36A TO247

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока36 A
Сопротивление в открытом состоянии75 mΩМакс. · 18A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)180W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
Другое
Base Product NumberIXTH36
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 18A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы