Поиск аналогов электронных компонентов
IXTH4N150
IXYSСША

IXTH4N150

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247

MOSFET N-CH 1500V 4A TO247

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.5 kV
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии6 ΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)280W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
Другое
Base Product NumberIXTH4
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1576 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы