Поиск аналогов электронных компонентов
IXTP76P10T
IXYSСША

IXTP76P10T

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220-3

MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока76 A
Сопротивление в открытом состоянии25 mΩМакс. · 38A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)298W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberIXTP76
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 38A, 10V
SeriesTrenchP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.