IXYSСША
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока18 A
Сопротивление в открытом состоянии120 mΩМакс. · 9A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Другое | |
| Base Product Number | IXTY18 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V |
| Series | TrenchP™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |