IXYSСША
MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока750 mA
Сопротивление в открытом состоянии11 ΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 25μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Box |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Другое | |
| Base Product Number | IXTY1 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 500mA, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.