Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

KSC2383

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流1A
VCBO-CB结击穿电压160V
VCBO-集基级击穿电压160V
VCEO-CE结击穿电压160V
VCEO-集射级击穿电压160V
VEBO-EB结击穿电压6V
VEBO-射基级击穿电压6V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率100MHZ
hFE-最小直流增益100
Hfe-最小直流增益100
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO-92L
封装类型2TO-92
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.9W
Pd-最大功率耗散0.9W
VCE(sat)-CE结饱和压降1.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降1.5V
引脚数量13
引脚数量23

Документы