Поиск аналогов электронных компонентов

LSGG10R080

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-252
Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Условия эксплуатации и корпус
PackageTO-252
Другое
ID (A) 25℃80
PD (W) 25℃113
Qg(nC) (VGS=10V) - Typ.28.3
RDS(ON) (mΩ) (VGS=10V) - Max.8
RDS(ON) (mΩ) (VGS=10V) - Typ.7.1
RDS(ON) (mΩ) (VGS=4.5V) - Max./
RDS(ON) (mΩ) (VGS=4.5V) - Typ./
VDS (V)100
VGS(th) (V) - Typ.3
VGS (V)±20

Документы