Поиск аналогов электронных компонентов

N沟道功率MOSFET,采用沟槽技术,低栅极电荷和导通电阻,快速开关

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока150 A
Сопротивление в открытом состоянии2.1 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
Другое
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@10V
数量1个N沟道

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.