HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）为80μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路中，常见于消费类电子、电源适配器及便携设备的电源管理模块。