HUXN(慧芯)Китай
MOSFETs · 小信号MOSFETs
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Channel | P+P |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | DFN2020 |
| Другое | |
| ESD | Y |
| ID(A) | -4.5 |
| RDS(on) Max @VGS=4.5V (mΩ) | 54 |
| VDS(V) | -20 |
| VGS(th)(V) | -0.4~-1 |
| VGS(V) | ±8 |
MOSFETs · 小信号MOSFETs
| Питание | |
|---|---|
| Channel | P+P |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | DFN2020 |
| Другое | |
| ESD | Y |
| ID(A) | -4.5 |
| RDS(on) Max @VGS=4.5V (mΩ) | 54 |
| VDS(V) | -20 |
| VGS(th)(V) | -0.4~-1 |
| VGS(V) | ±8 |