HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款稳压二极管具有稳定的电压调节特性,关键参数如下:击穿电压(VR)为15V,正向电压(VF)为0.9V;在反向电流(IR)方面,其值极低,仅为0.1微安,表明在稳压状态下几乎无漏电现象。该二极管的最大功率耗散(PD)能力为0.5瓦,适合用于需要电压稳定的多种电子装置中,如消费电子产品里的电源管理模块或通信设备中的信号处理单元,能够帮助保持系统的电压稳定,从而提升整体性能的可靠性。
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Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SOD-123 |
| Другое | |
| IR | 0.1uA |
| PD | 0.5W |
| VF | 0.9V |
| VR | 15V |