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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| IC(100℃)-最大集电极电流 | 100A |
| ICM-集电极峰值电流 | 200A |
| IC-集电极直流电流(100℃) | 100A |
| IF-二极管正向电流 | 100A |
| VCE(sat)-集射极导通饱和电压 | 2V |
| VCES-集射极阻断电压 | 650V |
| VRRM-反向重复峰值电压 | 1.7V |
| 二极管正向电压 | 1.7V |
| 二极管正向电流 | 100A |
| 最大允许功耗 | 330W |
| 隔离电压 | 2500V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 隔离电压等级 | 2500V |
| Другое | |
| Eoff-关断损耗能量 | 1.6mJ |
| Eon-开通损耗能量 | 3.2mJ |
| IGBT集成二极管 | 0 |
| Pd-功率耗散 | 330W |
| Qg-栅极电荷 | 513nC |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 2V |
| VGES(th)-门极发射极阈值 | 7V |
| Vge(th)-门极发射极阈值 | 7V |
| 关断损耗能量 | 1.6mJ |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 内置整流桥堆 | 0 |
| 单位温升 | 0.45℃/W |
| 宽 | 34mm |
| 宽度 | 34mm |
| 开通损耗能量 | 3.2mJ |
| 栅极充电电荷 | 513nC |
| 长 | 94mm |
| 长度 | 94mm |
| 隔离型IGBT | 0 |
| 集成整流桥堆 | 0 |
| 高 | 30.5mm |
| 高度 | 30.5mm |
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