PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 450A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.8 mA @ 1.2 kV |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 450 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C~175°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Другое | |
| Base Product Number | MSCDC450 |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.