PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 43, из них китайских: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 805A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Power - Max | 3.215kW (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C~175°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
| Другое | |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2320nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30200pF @ 1000V |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 400A, 20V |
| Series | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 30mA |